一裂片后的OLED Cell, 在還沒(méi)Bond Driver IC之前, 將所有正極短路, 所有負(fù)極亦短路(以PM型為例), 而后在該二端點(diǎn)上加上正及負(fù)的電壓做測(cè)試 該交流測(cè)試電壓的大小, 頻率, 及週波數(shù)皆為Programmable(可在主控PC上設(shè)定), 在一次的交流測(cè)試后,緊接著為量測(cè)段, 使用者先設(shè)定反偏電壓, HA570會(huì)對(duì)每一片面板量測(cè)其反偏逆電流並記錄, 解析精度至10nA. 無(wú)論順向或逆向, HA570均提供限流保護(hù), 可使某些先期不穩(wěn)定的產(chǎn)品不至于斷電而有可能在持續(xù)的交流測(cè)試中復(fù)元. OLED Cell是置于治具—電木Tray盤上, 一個(gè)Tray可置放30pc Cells, 一爐共可容納 : 24 Tray x 30 Cell = 720 Cell/爐.

Aging Process

Item Parameter Remark Total cycle Programmable 1~100 　 Tt 1~250 min., 1 min. step Fwd Voltage Tm 60 sec. Measurement cycle time Vft 0~+20V, 0.1V step Set for each cycle/each tray Vrt 0~-20V, 0.1V step Set for each cycle/each tray Vrm 0~-20V, 0.1V step Reverse voltage of Tm, Set for each cycle f 1~100Hz, 1 Hz step 1/T, Frequency of Tt Duty cycle 5%~100%, 1% step Tf/T, rising time/falling time < 10uS If 200mA max. Output current

Measurement

Item Parameter Remark IF 0.1mA~200mA, 0.1mA step Fwd current Ir Accuracy： 1. 10nA~1uA：10nA 2. 1uA~100uA：5% Static-state Leakage Current

Current Limit

Item Parameter Remark If current limit 200mA Set for each cell IR current limit 200mA Set for each cell

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