將封裝后的芯片置于冷熱沖擊實(shí)驗(yàn)箱（150℃和-65℃工作室各15分鐘，循環(huán)1000次）；經(jīng)此循環(huán)后測(cè)試芯片電路性能。

在封裝中，材料之間都有相應(yīng)的結(jié)合面，在封裝體所處環(huán)境的溫度有所變化時(shí)，封裝體內(nèi)各種材料就會(huì)有熱脹冷縮效應(yīng)，當(dāng)材料熱脹冷縮系數(shù)不同時(shí)，其熱脹冷縮時(shí)程度將有所不同，這樣原來(lái)緊密結(jié)合的材料結(jié)合面就會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。主要材料包括：導(dǎo)線架的銅材料，芯片的硅材料，連接用的金線材料，還有芯片粘結(jié)的膠體材料；其中塑料包封裝與硅芯片，導(dǎo)線框有大面積接觸，容易脫皮，硅芯片與粘合的硅膠也會(huì)在測(cè)試中失效。芯片表面脫層導(dǎo)致電路短路，脫層處影響到金線，扯斷金線會(huì)造成短路，芯片在測(cè)試中開(kāi)裂，會(huì)導(dǎo)致電路混亂或短路。為了更好通過(guò)測(cè)試，盡量減少各種材料的熱膨脹差異，在芯片表面涂上一層緩沖層膠體過(guò)度是好的解決方案。